Silicon PIN Photodiode

MALVERN, Pennsylvania (USA) – 12. November 2025 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) erweitert heute sein optoelektronisches Portfolio um eine neue Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Empfindlichkeit gegenüber sichtbarem und infrarotem Licht. Die Fotodiode VEMD8083 von Vishay Semiconductors im nur 0,6 mm hohen SMD-Package mit 3,2 mm Länge und 2,0 mm Breite verbessert durch hohe Fotoströme in Sperrrichtung und kurze Reaktionszeiten die Performance für biomedizinische Anwendungen, wie die Überwachung von Herzfrequenz und Blutsauerstoff.

MALVERN, Pa. — Nov. 12, 2025 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today broadens its optoelectronics portfolio with the introduction of a new high speed silicon PIN photodiode with enhanced sensitivity to visible and infrared light. Featuring a compact 3.2 mm by 2.0 mm top-view, surface-mount package with a low 0.6 mm profile, the Vishay Semiconductors VEMD8083 features high reverse light current and fast response times for improved performance in biomedical applications such as heart rate and blood oxygen monitoring.