Malvern, Pennsylvania (USA) – 28. Februar 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat heute einen neuen symmetrischen 80 V-Dual-N-Kanal- Power MOSFET vorgestellt, der High-Side- und Low-Side-TrenchFET® Gen IV MOSFETs in einem 3,3 x 3,3 mm² PowerPAIR® 3x3FS-Gehäuse vereint. Der SiZF4800LDT von Vishay Siliconix erhöht die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad bei der Stromwandlung in Industrie- und Telekommunikationsanwendungen und verbessert gleichzeitig die thermische Leistung, reduziert die Anzahl der Bauteile und vereinfacht das Design.

MALVERN, Pa. — Feb. 28, 2024 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today introduced a new 80 V symmetric dual n-channel power MOSFET that combines high and low side TrenchFET® Gen IV MOSFETs in a single 3.3 mm by 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS package. For power conversion in industrial and telecom applications, the Vishay Siliconix SiZF4800LDT increases power density and efficiency, while enhancing thermal performance, reducing component counts, and simplifying designs.

MALVERN, Pa. — Jan. 23, 2023 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today introduced two new 30 V symmetric dual n-channel power MOSFETs that combine high and low side TrenchFET® Gen V MOSFETs in a single 3.3 mm by 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS package. For power conversion in computing and telecom applications, the Vishay Siliconix SiZF5300DT and SiZF5302DT increase efficiency while reducing component counts and simplifying designs.