Dual N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

Malvern, Pennsylvania (USA) – 28. Februar 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat heute einen neuen symmetrischen 80 V-Dual-N-Kanal- Power MOSFET vorgestellt, der High-Side- und Low-Side-TrenchFET® Gen IV MOSFETs in einem 3,3 x 3,3 mm² PowerPAIR® 3x3FS-Gehäuse vereint. Der SiZF4800LDT von Vishay Siliconix erhöht die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad bei der Stromwandlung in Industrie- und Telekommunikationsanwendungen und verbessert gleichzeitig die thermische Leistung, reduziert die Anzahl der Bauteile und vereinfacht das Design.

MALVERN, Pa. — Feb. 28, 2024 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today introduced a new 80 V symmetric dual n-channel power MOSFET that combines high and low side TrenchFET® Gen IV MOSFETs in a single 3.3 mm by 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS package. For power conversion in industrial and telecom applications, the Vishay Siliconix SiZF4800LDT increases power density and efficiency, while enhancing thermal performance, reducing component counts, and simplifying designs.