Malvern, Pennsylvania (USA) – 29. Januar 2025 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat heute 16 neue 650-V- und 1200-V- Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden im Standardgehäuse SOT-227 vorgestellt. Die für hohe Geschwindigkeit und Effizienz bei Hochfrequenzanwendungen konzipierten Bauelemente von Vishay Semiconductors bieten den besten Kompromiss zwischen kapazitiver Ladung (QC) und Vorwärtsspannungsabfall bei Dioden ihrer Klasse.

Die heute vorgestellten Bauelemente bestehen aus 40-A- bis 240-A-Doppeldioden in Parallelschaltung sowie aus 50-A- und 90-A-Einphasen-Brücken. Die Dioden basieren auf modernster Dünnwafer-Technologie und haben einen niedrigen Durchlassspannungsabfall von bis zu 1,36 V, was die Leitungsverluste drastisch reduziert und den Wirkungsgrad erhöht. Zur weiteren Erhöhung des Wirkungsgrads bieten die Bauelemente bessere Sperrverzögerungsparameter als Si-basierte Dioden und haben praktisch keine Erholungsphase.

Typische Anwendungen für die Bauelemente sind AC/DC-PFC und DC/DC-Ultrahochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in FBPS- und LLC-Wandlern für Photovoltaikanlagen, Ladestationen, industrielle USV und Telekommunikationsnetzteile. Bei diesen Anwendungen ermöglicht der niedrige QC-Wert der Dioden von bis hinunter zu 56 nC hohe Schaltgeschwindigkeiten, wobei ihr Industriestandard-Gehäuse einen Drop-in-Ersatz für Lösungen von Mitbewerbern ermöglicht.

Die Dioden bieten Hochtemperaturbetrieb bis +175 °C und einen positiven Temperaturkoeffizienten für einfache Parallelschaltung. Die nach UL E78996 zertifizierten Bauelemente zeichnen sich durch eine große Kriechstrecke zwischen den Anschlüssen und ein vereinfachtes mechanisches Design für eine schnelle Montage aus.

Spezifikationstabelle:

¹V_R = 400 V

²V_R = 800 V

Muster und Produktionsstückzahlen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 18 Wochen erhältlich.