High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

Malvern, Pennsylvania (USA) – 22. Mai 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: hat heute sein Optoelektronik-Portfolio um acht neue AEC-Q102-qualifizierte 850-nm- und 940-mm Hochleistung-Infrarot (IR)-Sender erweitert, die in 3,4-mm-mal-3,4-mm-Gehäusen für die Oberflächenmontage die beste Strahlungsintensität ihrer Klasse liefern. Die auf der Astral-Oberflächenemitter-Chiptechnologie von Vishay Semiconductors basierenden Bauelemente sind für hohe Treiberströme von bis zu 1,5 A DC und 5 A gepulst in Automobilanwendungen ausgelegt.

MALVERN, Pa. — May 22, 2024 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today broadened its optoelectronics portfolio with the release of eight new AEC-Q102 qualified 850 nm and 940 nm high power infrared (IR) emitters that deliver best in class radiant intensity in 3.4 mm by 3.4 mm surface-mount packages. Built on Vishay’s Astral surface emitter chip technology, the Vishay Semiconductors devices are designed for high drive currents up to 1.5 A DC and 5 A pulsed in automotive applications.