SOT-227 Power Module Single Switch - Silicon Carbide Power MOSFET 50 A

MALVERN, Pennsylvania (USA) – 28. Jan. 2026 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) stellt heute fünf neue 1200-V-MOSFET-Leistungsmodule vor, die den Wirkungsgrad von Anwendungen im mittleren bis hohen Frequenzbereich in den Bereichen Automotive, Energie, Industrie und Telekommunikation erhöhen sollen. Die Module VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 und VS-SF200SA120 verfügen über die Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs der neuesten Generation von Vishay Semiconductors im branchenüblichen SOT-227- Gehäuse.

MALVERN, Pa. — Jan. 28, 2026 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today introduced five new 1200 V MOSFET power modules designed to increase power efficiency for medium to high frequency applications in automotive, energy, industrial, and telecom systems. The Vishay Semiconductors VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120, and VS-SF200SA120 feature Vishay’s latest generation silicon carbide (SiC) MOSFETs in the industry-standard SOT-227 package.