Malvern, Pennsylvania (USA) – 21. Februar 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat heute fünf neue Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodule im neu gestalteten INT-A-PAK-Gehäuse vorgestellt. Die auf Vishay’s Trench-IGBT-Technologie basierenden Module VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N und VS-GT200TS065N ermöglichen Entwicklern die Auswahl zwischen zwei erstklassigen Technologien – niedrige VCE(ON) oder niedrige Eoff – zur Verringerung der Leitungs- oder Schaltverluste in Hochstrom-Wechselrichterstufen für Transport-, Energie- und Industrieanwendungen.
Die heute vorgestellten Halbbrücken-Bauelemente kombinieren Trench-IGBTs - die im Vergleich zu anderen Produkten auf dem Markt eine verbesserte Energieeinsparung bieten - mit antiparallelen FRED Pt®-Dioden der Generation IV, die sich durch eine besonders sanfte Rückstrombegrenzung auszeichnen. Das kompakte INT-A-PAK-Gehäuse der Module hat eine neue Gate-Pin-Orientierung und ist jetzt zu 100 % kompatibel mit dem 34-mm-Industriestandardgehäuse, so dass ein mechanischer Drop-in-Austausch möglich ist.
Die Bauelemente für den industriellen Einsatz werden in Wechselrichtern für die Stromversorgung von Bahnanlagen, in Systemen zur Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, in Schweißgeräten, Motorantrieben und in der Robotik eingesetzt. Um die Leitungsverluste in Ausgangsstufen für WIG-Schweißmaschinen zu reduzieren, bieten die VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S und VS-GT200TS065S eine industrieweit niedrige Kollektor-Emitter-Spannung VCE(ON) ≤ 1,07 V bei +125 °C und Nennstrom. Für Hochfrequenz-Leistungsanwendungen bieten der VS-GT100TS065N und der VS-GT200TS065N extrem niedrige Schaltverluste mit Eoff bis zu 1,0 mJ bei +125 °C und Nennstrom.
Die RoHS-konformen Module zeichnen sich durch eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V, einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 100 A bis 200 A und einen sehr geringen thermischen Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse aus. Die nach UL E78996 zertifizierten Bauelemente können direkt auf Kühlkörpern montiert werden und bieten niedrige EMI, um die Anforderungen an die Dämpfung zu reduzieren.
Spezifikationstabelle:
Bauteil-Nr. | VCES | IC | VCE(ON) | Eoff | Geschwindigkeit | Gehäuse |
@ IC und +125 °C | ||||||
VS-GT100TS065S | 650 V | 100 A | 1,02 V | 6,5 mJ | DC bis 1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT150TS065S | 650 V | 150 A | 1,05 V | 10,3 mJ | DC bis 1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065S | 650 V | 200 A | 1,07 V | 13,7 mJ | DC bis 1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT100TS065N | 650 V | 100 A | 2,12 V | 1,0 mJ | 8 kHz bis 30 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065N | 650 V | 200 A | 2,13 V | 3,86 mJ | 8 kHz bis 30 kHz | INT-A-PAK |
Muster und Produktionsstückzahlen der neuen IGBT-Leistungsmodule sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 15 Wochen erhältlich.
The DNA of tech® ist eine Marke der Firma Vishay Intertechnology. FRED Pt® ist eine eingetragene Marke von Vishay Intertechnology.
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