“Half Bridge” Low VCE(on) IGBT INT-A-PAK, 200 A

Malvern, Pennsylvania (USA) – 21. Februar 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat heute fünf neue Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodule im neu gestalteten INT-A-PAK-Gehäuse vorgestellt. Die auf Vishay’s Trench-IGBT-Technologie basierenden Module VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N und VS-GT200TS065N ermöglichen Entwicklern die Auswahl zwischen zwei erstklassigen Technologien – niedrige VCE(ON) oder niedrige Eoff – zur Verringerung der Leitungs- oder Schaltverluste in Hochstrom-Wechselrichterstufen für Transport-, Energie- und Industrieanwendungen.

MALVERN, Pa. — Feb. 21, 2024 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today introduced five new half-bridge IGBT power modules in the newly redesigned INT-A-PAK package. Built on Vishay’s Trench IGBT technology, the VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N, and VS-GT200TS065N offer designers a choice of two best in class technologies — low VCE(ON) or low Eoff — to lower conduction or switching losses in high current inverter stages for transportation, energy, and industrial applications.