Malvern, Pennsylvania (USA) – 26. Juni 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH hat heute 16 neue 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden der Generation 3 vorgestellt. Die neuen Bauelemente von Vishay Semiconductors zeichnen sich durch ein Merged-PIN-Schottky (MPS)-Design aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, kapazitiver Ladung und niedrigem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen.

Die heute vorgestellten SiC-Dioden der nächsten Generation bestehen aus Bauelementen mit 5 A bis 40 A in den Gehäuse TO-220AC 2L, TO-220AC 2L und TO-247AD 3L für die Durchsteckmontage sowie D²PAK 2L (TO-263AB 2L) für die Oberflächenmontage. Die Dioden bieten eine niedrige kapazitive Ladung von bis zu 28 nC, während ihre MPS-Struktur – mit einer durch Laserhärtung ausgedünnten Rückseite – einen reduzierten Vorwärtsspannungsabfall von 1,35 V liefert. Darüber hinaus reduziert der geringe typische Sperrstrom der Bauelemente von bis hinunter zu 2,5 µA bei 25 °C die Leitungsverluste und sorgt für einen hohen Systemwirkungsgrad bei geringer Last und im Leerlauf. Im Gegensatz zu ultraschnellen Dioden haben die Bauelemente der Generation 3 praktisch keine Erholungsphase, was die Effizienz noch weiter verbessert.

Typische Anwendungen für die Bauelemente sind AC/DC-PFC und DC/DC-Ultrahochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in FBPS- und LLC-Wandlern für Energieerzeugungs- und Explorationsanwendungen, Industrieantriebe und -werkzeuge sowie Rechenzentren. Für die rauen Umgebungen dieser Anwendungen kombinieren die Bauelemente Betriebstemperaturen bis +175 ³C mit Durchlasswerten bis 260 A für hohe Robustheit. Darüber hinaus verfügen die Dioden im D²PAK 2L-Gehäuse über eine Vergussmasse mit einem hohen CTI ≥ 600, die eine hervorragende elektrische Isolation bei hohen Spannungen gewährleistet.

Die RoHS-konformen und halogenfreien Dioden bieten eine hohe Zuverlässigkeit und haben einen HTRB-Test (Higher Temperature Reverse Bias) von 2000 Stunden sowie einen Temperaturwechseltest von 2000 thermischen Zyklen bestanden.

Spezifikationstabelle:

Muster und Produktionsstückzahlen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 13 Wochen erhältlich.